人工智能革命正推动内存技术领域的激烈竞争，韩国巨头SK海力士和三星引领着这场变革。两家公司都准备在2026年国际固态电路大会（ISSCC）上发布其下一代DRAM解决方案，承诺为人工智能应用带来前所未有的性能。一场速度与创新的巅峰对决即将上演！
## SK海力士发布GDDR7和LPDDR6
SK海力士凭借其突破性的GDDR7和LPDDR6产品，有望重新定义内存标准。该公司的GDDR7采用对称双通道设计，拥有惊人的48 Gb/s单引脚带宽和24 Gb的存储密度。这使其完美适用于高端GPU、AI边缘推理和沉浸式游戏体验等高要求应用。与目前28 Gbps的GDDR7相比，传输速度提升超过70%，这无疑是图形DRAM领域的一项重大突破。单芯片带宽达到 192 GB/s，较现有产品有显著提升。
但这还不是全部——SK 海力士还推出了 14.4 Gb/s 的 LPDDR6，相比 9.6 Gb/s 的 LPDDR5 有了大幅提升。这使得 LPDDR6 成为高性能智能手机、AI 电脑以及运行生成式 AI 工作负载的边缘设备的理想内存解决方案。
## 三星推出新一代 HBM4
三星也不甘示弱，即将展示其尖端的 HBM4，容量高达 36GB，带宽更是惊人，达到 3.3 TB/s。HBM4 采用单通道 DRAM 工艺，改进了其硅通孔 (TSV) 架构，最大限度地减少了通道间信号延迟。这实现了超高带宽和低功耗的数据传输，对于下一代 AI 加速器至关重要。三星的HBM4相比前几代产品，带宽有了显著提升。
三星目前正与NVIDIA就明年HBM4的定价进行谈判，目标是与SK海力士的12层HBM4内存定价持平。由于HBM4的需求远超供应，此次谈判至关重要。
人工智能内存的未来已然到来，它比以往任何时候都更快、更强大。请密切关注SK海力士和三星，看他们如何不断突破技术极限。
