AI革命はメモリ技術における熾烈な競争を加速させており、韓国の大手企業SK hynixとSamsungがその先頭に立っています。両社は、AIアプリケーション向けにかつてない性能を約束する次世代DRAMソリューションを、2026年の国際固体回路会議（ISSCC）で発表する準備を進めています。スピードとイノベーションの対決に備えましょう！

## SK hynix、GDDR7とLPDDR6を発表

SK hynixは、画期的なGDDR7とLPDDR6製品でメモリ規格を再定義しようとしています。同社のGDDR7は、対称型デュアルチャネル設計を採用し、ピンあたり48Gb/sという驚異的な帯域幅と24Gbのメモリ密度を誇ります。これにより、ハイエンドGPU、AIエッジ推論、没入型ゲーム体験といった要求の厳しいアプリケーションに最適です。これは、現在の28Gbps GDDR7と比較して転送速度が70%以上向上し、グラフィックスDRAMのゲームチェンジャーとなるでしょう。チップあたりの帯域幅は192GB/sに達し、既存製品と比べて大幅に向上しています。

それだけではありません。SK hynixは、LPDDR5の9.6Gbpsから大幅に向上した14.4Gbps LPDDR6も発表しました。これにより、LPDDR6は、高性能スマートフォン、AI搭載PC、そして生成型AIワークロードを実行するエッジデバイスに最適なメモリソリューションとして位置付けられます。

## Samsungが次世代HBM4で対抗

Samsungは、負けじと、36GBの容量と3.3TB/sという驚異的な帯域幅を備えた最先端のHBM4を発表する準備を整えています。 1c DRAMプロセスをベースに構築されたHBM4は、シリコン貫通ビア（TSV）アーキテクチャを改良し、チャネル間の信号遅延を最小限に抑えています。これにより、次世代のAIアクセラレータに不可欠な超高帯域幅と低消費電力のデータ転送を実現しています。SamsungのHBM4は、前世代と比べて帯域幅が大幅に向上しています。

Samsungは現在、NVIDIAと来年のHBM4の価格について交渉中で、SK Hynixの12層HBM4メモリと同等の価格を目指しています。HBM4の需要が供給を上回っているため、この交渉は非常に重要な意味を持ちます。

AIメモリの未来はここにあります。そして、それはかつてないほど高速でパワフルです。可能性の限界を押し広げ続けるSK HynixとSamsungの動向から、今後も目が離せません。